耀眼的结晶
3月22日晚间，Nature官网发布多篇论文
北京大学三项成果同时在线发表
上演“帽子戏法”
生命科学学院肖俊宇研究员研究组
发表成果
《FcμR受体对免疫球蛋白IgM的识别》
化学与分子工程学院彭海琳教授课题组
发表成果
《外延高κ栅氧化物集成型二维鳍式晶体管》
电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组
发表成果
《二维硒化铟弹道晶体管》
肖俊宇研究组通过结构生物学、生物化学和细胞生物学等手段揭示了FcμR特异性感知不同形式IgM的分子机制，为深入理解IgM的生物学功能奠定了基础。
研究成果Nature截图
FcμR受体对膜结合型 IgM、IgM五聚体和分泌型IgM的识别模型
蛋白质与植物基因研究国家重点实验室、北京大学生命科学学院、北大清华生命科学联合中心肖俊宇研究员为该论文的通讯作者。北京大学已出站博士后李雅鑫、生命科学学院19级博士生沈皓、前沿交叉学科研究院19级博士生张瑞雪为该论文的共同第一作者。本研究还得到了北京大学生命科学学院启东产业创新基金、昌平实验室、中国博士后科学基金（博新计划）、北京大学博雅博士后项目的支持。
彭海琳课题组报道了全球首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管。这一原创性工作突破了后摩尔时代高速低功耗芯片的二维新材料精准合成与新架构集成瓶颈，为开发未来先进芯片技术带来了新的机遇。
近年来，我国“芯片荒”这一“老大难”问题屡屡成为焦点。为了让“卡脖子”的手松一点，北大人一直在这条荆棘丛生的道路上砥砺前行，力求为我国集成电路技术的迭代升级事业添砖加瓦。2023年3月22日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组在Nature在线发表题为《外延高κ栅氧化物集成型二维鳍式晶体管》（2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide）的研究论文。这一研究报道了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的集成制备，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET）。
研究成果Nature截图
高κ栅氧化物集成型二维鳍式晶体管（2D FinFET）示意图
北京大学彭海琳教授是该论文工作的通讯作者，北京大学化学与分子工程学院BMS Fellow博士后谭聪伟、博士研究生于梦诗、唐浚川、高啸寅是共同第一作者。生长理论计算和形貌表征方面的主要合作者还包括韩国蔚山国立科技研究院丁峰教授、清华大学物理系姜开利教授等。该研究成果得到国家自然科学基金委、科技部、北京分子科学国家研究中心、腾讯基金会、北京大学博雅博士后、北京分子科学国家研究中心博士后项目等机构和项目的资助，并得到了北京大学化学与分子工程学院的分子材料与纳米加工实验室（MMNL）仪器平台的支持。
彭练矛教授-邱晨光研究员课题组首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。
近期，北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，成为世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》（Ballistic two-dimensional InSe transistors）为题，3月22日在线发表于Nature.
这项工作突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈，将n型二维半导体晶体管的性能首次推近理论极限，率先在实验上证明出二维器件性能和功耗上优于先进硅基技术，为推动二维半导体技术的发展注入了强有力的信心和活力。
展望：更快更省电的低维半导体芯片
电子学院博士生姜建峰与徐琳博士为并列第一作者，彭练矛教授和邱晨光研究员为共同通讯作者，北京大学电子学院为论文唯一单位。
未来，期待更多的“帽子戏法”接连上演。北大人在科研之路上将愈战愈勇，常攀高峰！
来源：北京大学融媒体中心、北京大学科研部、北京大学电子学院、北京大学生命科学学院、北京大学化学与分子工程学院
编辑：钟润文、孔妍文、李加逸
图片：受访者提供
排版：王欣雨
责编：李霁
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